還元雰囲気スパッタと還元アニールを組み合わせたSnO2ターゲットからのSnO製作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23018

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Fabrication of SnO thin films using SnO2 target by combination of sputtering and annealing under reducing atmosphere

著者名: 小林 翔(工学院大学),木菱 完太(工学院大学),川口 拓真(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Tsubasa Kobayashi(Kogakuin University),Kanta Kibishi(Kogakuin University),Takuma Kawaguchi(Kogakuin University),Shinya Aikwa(kogakuin University)

キーワード: Ａｒ／Ｈ２アニール|ＳｎＯ２ターゲット|還元プロセス|酸化物半導体|Ar/H2 annealing|SnO2 ceramic target| reduction process|oxide semiconductor

要約(日本語): 高い移動度が期待できるp型酸化物としてSnOが注目されている．スパッタリングによるSnOの作製法としては，金属SnやSnOターゲットを用いる方法が知られている．しかしながら，金属ターゲットからの酸化物の作製は狭いヒステリシスウィンドウを考慮する必要があるとともに，SnOは低密度かつ高エネルギー環境下での不均化反応が問題となっている．そこで本研究では，SnO2ターゲットを用いて還元雰囲気下でのSnO作製を試みた．

要約(英語): SnO is attracting attention as a p-type oxide semiconductor because it expects high mobility. Basically, metallic Sn or SnO target are used for fabrication of SnO by sputtering technique. However, use of metal target causes hysteresis during deposition, also SnO suffers from disproportionation reactions. In this study, we fabricate SnO in a reducing atmosphere using SnO2 target.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 59-62 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,169 Kバイト