N2雰囲気中RFマグネトロンスパッタリングで作製したSnO2:N薄膜の特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23019

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Characterization of SnO2:N thin-films prepared by RF magnetron sputtering in Ar/N2 mixed gas atmosphere

著者名: 川口 拓真(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Takuma Kawaguchi(Kogakuin univ.),Shinya Aikawa(Kogakuin univ.)

キーワード: 酸化物半導体|ＳｎＯ２|薄膜半導体|ｐ型半導体|窒素ドーピング|ＸＰＳ|Oxide Semiconductor|SnO2|Thin Film Semiconductor|p-type Semiconductor|N2 Doping|XPS

要約(日本語): 窒素(N)はSnOx半導体の正孔ドーパントとして注目されている。これまでに、N2雰囲気での熱処理によるNドーピングによって、n型SnO2薄膜のp型化を報告した。熱処理におけるNの拡散は表面のみであり、電気特性の向上に限界があった。本研究では、N2雰囲気下でのRFマグネトロンスパッタリングを用いて、バルクへのNドーピングを検討した。薄膜は、基板温度300℃、N2濃度25～80％で作製し、ホール測定の結果、N280%でp型のSnO2:N薄膜が得られた。

要約(英語): Nitrogen (N) has attracted attention as a hole dopant for SnOx. We have previously reported p-type conversion of n-type SnO2. However, N atom diffusion was dominant at the surface, thus there is a limitation in terms of electrical properties. In this study, we investigated N doping into the bulk using RF magnetron sputtering in N2 atmosphere.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 63-67 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,671 Kバイト