硫黄蒸気輸送アニールを用いた金属Sn薄膜の硫化とその評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23025

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Sulfurization of metal Sn thin-films through vapor transport annealing and their characterization

著者名: 渡邉 大輝(工学院大学),守屋 賢人(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Daiki Watanabe(Kogakuin University),Kento Moriya(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード: ＳｎＳ|硫化|硫黄蒸気輸送法|薄膜|ｐ型半導体|SnS|Sulfurization|Sulfur vapor transport annealing method|Thin-film|p-type semiconductor

要約(日本語): SnS は,高性能な p 型半導体材料として注目されている.しかしながら,これまでに報告されてきた溶液合成や真空蒸着による方法では,電気特性を低下させる中間不純物が高濃度で混入することが問題となっている.我々は中間不純物の低減が期待できる硫黄蒸気輸送法を用いてSnSを作製した.硫化温度を検討することで,中間不純物を含まないSnSを作製することができた.

要約(英語): SnS has been attracted attention as a high-performance p-type semiconductor material. However, high-quality SnS has not been fabricated thus far. In this study, we fabricated SnS without intermediate impurities using sulfur vapor transport annealing method. We will discuss the correlation between sulfurization temperature and quality of the fabricated SnS.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 89-90 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,056 Kバイト