hBN/グラフェン/hBN による NIR～THz 光検出に向けた素子の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Characterization of hBN/graphene/hBN devices toward NIR~THz detection

著者名: 佐藤 遥大(東京電機大学),李 恒(中央大学),高橋 典華(中央大学),森山 悟士(東京電機大学),河野 行雄(中央大学),渡邊 賢司(物質・材料研究機構),谷口 尚(物質・材料研究機構),藤方 潤一(徳島大),岩崎 拓哉(物質・材料研究機構)

著者名(英語): Yodai Sato(Tokyo Denki Univ.),Kou Li(Chuo Univ.),Norika Takahashi(Chuo Univ.),Satoshi Moriyama(Tokyo Denki Univ.),Yukio Kawano(Chuo Univ.),Kenji Watanabe(NIMS),Takashi Taniguchi(NIMS),Junichi Fujikata(Tokushima Univ.),Takuya Iwasaki(NIMS)

キーワード: グラフェン|近赤外光|テラヘルツ光|光検出|六方晶窒化ホウ素|Graphene|NIR|THz|photodetection|hBN

要約(日本語): グラフェンは優れた電子・光物性を有しているため、広帯域・高速光デバイスの実現が期待され、研究が盛んに行われている。本研究では、六方晶窒化ホウ素（hBN）でグラフェンを挟んだ積層ヘテロ構造を用いた高品質グラフェン電界効果トランジスタ素子を作製し、赤外光照射によるドレイン電流値の変化を計測し、光検出特性を評価した。当日はソース-ドレイン電圧、ゲート電圧、光源出力、温度依存性等について議論する。

要約(英語): Graphene is a promising candidate for broadband and high-speed photonics devices owing to its excellent electronic and optical properties. Here, we fabricate high-quality graphene field-effect transistors based on hexagonal boron nitride (hBN)/graphene/hBN heterostructures and characterize their photodetection properties for near-infrared light. The details will be discussed in the presentation.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 91-96 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,220 Kバイト