WSe2の分子吸着ドーピングと表面酸化による面内pn接合の形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23027

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Formation of a lateral pn junction in WSe2 by molecular doping and surface oxidation

著者名: 四方 沢弥(関西大学),稲田 貢(関西大学),谷口 尚(物質・材料研究機構),渡邊 賢司(物質・材料研究機構),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)

著者名(英語): Takumi Shikata(Kansai University),Mitsuru Inada(Kansai University),Takashi Taniguchi(National Institute for Materials Science),Kenji Watanabe(National Institute for Materials Science),Keiji Ueno(Saitama University),Mahito Yamamoto(Kansai University)

キーワード: 二次元半導体|電界効果トランジスタ|二セレン化タングステン|ｐｎ接合|表面ドーピング|Two-dimensional semiconductor|field-effect transistor|WSe2|pn junction|surface doping

要約(日本語): 二次元半導体は原子レベルの薄さにおいても優れた半導体特性を示すことから、次世代の半導体デバイス材料として期待されている。二次元半導体をトランジスタや太陽電池、LEDなどのデバイスへと応用させるためには、キャリアタイプの厳密制御が必要不可欠である。本研究では、二次元半導体の一種であるWSe2においてトリフェニルホスフィンを用いた表面吸着ドーピングと表面酸化を行うことで、面内pn接合の形成に成功した。

要約(英語): 2D semiconductors exhibit excellent semiconducting properties even at the atomic thicknesses. In order to apply 2D semiconductors in electronic devices such as LEDs, control of the carrier types is essential. Here, we fabricated a lateral pn junction in WSe2 by n-type doping with triphenylphosphine, followed by surface oxidation.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 97-100 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,300 Kバイト