二次元WSe2/WOx光シナプスデバイスにおける短期・長期可塑性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23028

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Short- and long- term plasticity in 2D WSe2/WOx optical synaptic devices

著者名: 金谷 瞳(関西大学),櫛原 快児(関西大学),稲田 貢(関西大学),谷口 尚(物質・材料研究機構),渡邊 賢司(物質・材料研究機構),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)

著者名(英語): Hitomi Kanaya(Kansai University),Kaiji Kushihara(Kansai University),Mitsuru Inada(Kansai University),Takashi Taniguchi(National Institute for Materials Science),Kenji Watanabe(National Institute for Materials Science),Keiji Ueno(Saitama University),Mahito Yamamoto(Kansai University)

キーワード: 二次元半導体|二セレン化タングステン|シナプスデバイス|電荷トラップメモリ|光ゲーティング効果|2D semiconductor|WSe2|synaptic device|charge trap memory|photogating effect

要約(日本語): 脳内のニューロン同士のシナプス結合をコンダクタンスの可塑的変化で模倣したデバイスをシナプスデバイスと呼び、次世代脳型コンピュータの基盤素子として注目されている。本研究では、高い光ゲート効果を示す二次元WSe2/WOx電荷トラップメモリで、LEDパルス光照射回数とともにコンダクタンスが単調増加するシナプス可塑性を観測した。この結果は、二次元WSe2/WOxの光シナプスデバイスへの応用を期待させる。

要約(英語): Synaptic devices mimic the synaptic connections between neurons in the brain through plastic changes in conductance. We observed that the conductance of 2D WSe2/WOx charge trap memory can be tuned plastically with optical pulses, due to the photogating effect. This result suggests that 2D WSe2/WOx charge trap memory can be used for an optical synaptic device.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 101-104 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,178 Kバイト