大気安定な二次元WSe2/WOx電荷トラップメモリの作製とシナプスデバイス応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM23029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2023/11/19

タイトル(英語): Fabrication of air-stable 2D WSe2/WOx charge trap memory for applications in synaptic devices

著者名: 櫛原 快児(関西大学),稲田 貢(関西大学),谷口 尚(物質・材料研究機構),渡邊 賢司(物質・材料研究機構),上野 啓司(埼玉大学),山本 真人(関西大学)

著者名(英語): Kaiji Kushihara(Kansai university),Mitsuru Inada(Kansai university),Takashi Taniguchi(NIMS),Kenji Watanabe(NIMS),Keiji Ueno(Saitama university),mahito Yamamoto(Kansai university)

キーワード: 二次元半導体|遷移金属ダイカルコゲナイド|シナプスデバイス|2D semiconductor|transition metal dichalcogenide|synaptic devices

要約(日本語): 表面に極薄酸化膜を形成した二次元WSe2は電荷トラップメモリへの応用が期待されている一方で、大気中で不安定であることが課題となっていた。本研究では、作製したメモリの上に二次元絶縁体の六方晶窒化ホウ素(h-BN)を転写することでチャネルを大気曝露から保護し、メモリの大気安定性を向上した。また、作製したメモリの電流特性を評価したところ、ゲート電圧の印加によりドレイン電流値が可塑的に変化するシナプス特性を確認できた。

要約(英語): Surface-oxidized WSe2 has promise for applications in charge trap memory, but is unstable in air. Here, we used hexagonal boron nitride as a passivation layer for surface-oxidized WSe2 charge trap memory and realized the stable operations in air. We also demonstrated synaptic behaviors in the charge trap memory devices.

本誌: 2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 105-108 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,263 Kバイト