Si/Al傾斜材料上に作製したPt/Co/Pt三層膜のSOTスイッチング実験

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG23176

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス研究会

発行日: 2023/12/19

タイトル(英語): Experimental demonstration of SOT switching in a Pt/Co/Pt trilayer film fabricated on a Si/Al composition gradient material

著者名: 高木 さゆり(慶應義塾大学),洞口 泰輔(慶應義塾大学),山野井 一人(慶應義塾大学),能崎 幸雄(慶應義塾大学)

著者名(英語): Sayuri Takagi(Keio University),Taisuke Horaguchi(Keio University),Kazuto Yamanoi(Keio University),Yukio Nozaki(Keio University)

キーワード: スピントロニクス|傾斜材料|垂直磁化膜|スピン軌道相互作用|磁化反転|spintronics|gradient material|perpendicular magnetization anisotropy|spin orbit interaction|magnetization switching

要約(日本語): 従来のスピン流生成材料はPt等のスピン軌道相互作用(SOI)の強い重金属が主流であったが、近年酸化銅やSi/Al組成傾斜材料等の弱SOI材料によるスピン流生成が注目されている。我々はSi/Al傾斜材料の作るスピン流によるスピントルク磁化反転を目指し、Si/Alを下地層としたPt/Co/Pt垂直磁化膜作製に成功した。さらに、作製した多層膜をホールバー形状に加工し、異常ホール電圧測定により垂直磁化のSOTスイッチング特性を調べた。

要約(英語): Usually, spin current generation via spin Hall effect needs strong spin orbit interaction(SOI) materials. Recently, some weak SOI materials have been attracting attention as novel spin current sources. In this study, we demonstrated spin torque switching in a Pt/Co/Pt trilayer film with perpendicular magnetic anisotropy on Si/Al composition gradient material.

本誌: 2023年12月22日マグネティックス研究会

本誌掲載ページ: 51-56 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,184 Kバイト