吸引型プラズマによるSiウェハのエッチングレート観察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI24023,EPP24023,HV24023

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料/【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日: 2024/01/16

タイトル(英語): Investigation of etching rate for Si wafer by employing the inward plasma

著者名: 岩瀬 千克(三友製作所),佐藤 直幸(茨城大学)

著者名(英語): Chikatsu Iwase(Sanyu Co.,Ltd.),Naoyuki Sato(Ibaraki University)

キーワード: ドライプロセス|吸引型プラズマ|Ｓｉウェハ|エッチングレート|エッチング形状|平坦化|dry processing|inward plasma|Si wafer|etching rate|etching profile|planarization

要約(日本語): フッ素ラジカルをSi含有難加工材料（Siウェハ等）のエッチングに応用するため，各種のプロセスプラズマが用いられており，その中でも吸引プラズマ方式は，残渣が少なくエッチングプロファイルが制御し易い，及び，平坦化処理に向いているなど，今後の応用拡張が期待できる．今回は，この分野の研究会において，共同研究としての初の発表となるため，プラズマ制御応用の視点から吸引型局所プラズマエッチングシステムの概要と開発状況を報告する．

要約(英語): Various processing plasmas are employed to apply fluorine radicals to etching of difficult-to-process materials containing Si (e.g., Si wafer), and among them, the inward plasma method is expected to expand its application in the future because of its low residue, easily controllable etching profile, and suitability for planarization processing. This is the first presentation as a joint research project in this field, so the outline and development status of the inward localized-plasma etching system from the viewpoint of plasma control application will be reported.

本誌: 2024年1月19日-2024年1月20日誘電・絶縁材料/放電・プラズマ・パルスパワー/高電圧合同研究会-2

本誌掲載ページ: 53-57 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,443 Kバイト