アバランシェ動作を回避するスルーレート制御ゲートドライバを適用したSiC半導体スイッチ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE24065,PSE24077,SPC24119

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/03/04

タイトル(英語): SiC solid-state switch with slew-rate controlled gate driver to prevent avalanche operation

著者名: 髙森 太郎(東京都立大学),太田 涼介(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学)

著者名(英語): Taro Takamori(Tokyo Metropolitan University),Ryosuke Ota(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: アバランシェ降伏|直流遮断器|ゲートドライバ|ＵＩＳ|Avalanche breakdown|DC circuit breaker|Gate driver|Unclamped Inductive Switching

要約(日本語): 本論文は，アバランシェ動作を回避するゲートドライバを備えたSiC半導体スイッチを提案する。提案するSiC半導体スイッチは，スルーレートを変更する機能を有するゲートドライバを備え，パワーデバイスのオフ動作を制御してサージ電圧を抑制する。実験結果は，SiC MOSFETのアバランシェ降伏を回避し，サージ電圧を43.7%，ピーク電力損失を70.5%低減した。提案するSiC半導体スイッチは，400-V直流配電システムを模擬した試験回路に基づいて検証された。

要約(英語): This paper proposes a SiC solid-state switch with a gate driver that avoids avalanche operation. Experimental results show that the surge voltage and peak power loss of SiC MOSFET are reduced by 43.7% and 70.5%, respectively. The proposed SiC solid-state switch was validated under 400-V DC distribution systems.

本誌: 2024年3月7日-2024年3月8日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-4

本誌掲載ページ: 37-41 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,889 Kバイト