3.3 kV SiC-MOSFETを用いた電源2倍周波数で伝送電力を脈動させるSST向けDABコンバータの損失評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE24066,PSE24078,SPC24120

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/03/04

タイトル(英語): Loss Evaluation of DAB Converter Using 3.3kV SiC-MOSFETs for SST with Double-Line-Frequency Oscillating Power Flow Control

著者名: 鈴木 陽太(筑波大学),黄 成(筑波大学),萬年 智介(筑波大学),磯部 高範(筑波大学)

著者名(英語): Yota Suzuki(University of Tsukuba),Cheng Huang(University of Tsukuba),Tomoyuki Mannen(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba)

キーワード: 半導体変圧器|ＤＡＢコンバータ|循環電流|ゼロ電圧スイッチング|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|Solid State Transformer|Dual Active Bridge Converter|Circulating current|Zero-voltage switching|SiC-MOSFET

要約(日本語): SSTに脈動電力制御を採用することで，DCリンクキャパシタ容量を低減できるが，従来の制御方式と比較してDABコンバータでの損失が増加する。そこで，DABコンバータの脈動電力に高調波を重畳する制御手法を提案する。この手法では損失の大きい領域での動作を回避することにより，全体の損失を低減する。さらに損失の評価を行い，制御手法の妥当性を検討する。3.3kV耐圧のSiC-MOSFETsを適用したDABコンバータを設計・製作し実機検証を行った。

要約(英語): This paper discusses the design of dual active bridge (DAB) converter with 3.3~kV SiC-MOSFETs for a concept of oscillating power control, which can achieve a drastic reduction in the required capacitance for smoothing capacitors. Loss increase with this operation and a method to mitigate the loss increase are analyzed. Results of experimental verification are presented.

本誌: 2024年3月7日-2024年3月8日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-4

本誌掲載ページ: 43-48 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,488 Kバイト