3.3kV SiC-MOSFETを用いたSSTにおける高圧キャパシタと連系インダクタの小型化に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE24067,PSE24079,SPC24121

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/03/04

タイトル(英語): Study on Volume Reduction of High Voltage Capacitor and Grid Connected Inductor in SST using 3.3 kV SiC-MOSFET

著者名: 岡村 有起(横浜国立大学),小原 秀嶺(横浜国立大学),鈴木 陽太(筑波大学),磯部 高範(筑波大学)

著者名(英語): Yuki Okamura(Yokohama National University),Hidemine Obara(Yokohama National University),Yota Suzuki(University of Tsukuba),Takanori Isobe(University of Tsukuba)

キーワード: ＳＳＴ|ＡＣ／ＤＣコンバータ|ＭＭＣ|高圧キャパシタ|系統連系インダクタ|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|SST|AC/DC converter|MMC|High-voltage capacitor|Grid connected inductor|SiC-MOSFET

要約(日本語): 柱上変圧器のさらなる高性能化を目指して研究開発が進んでいるSSTは、高効率化と小型化の両立が難しいという課題がある。本研究では、SSTに用いる高圧キャパシタの小型化に着目し、キャパシタの誘電体の種類、耐圧、静電容量、サイズの関係を明らかにした。その結果、DABコンバータによって高圧キャパシタの電圧リプルを低減し、静電容量が数μF以下であれば、フィルムコンデンサを用いた方が小型化できることを確認した。

要約(英語): This study focuses on downsizing of a high-voltage capacitor used in SST. A relationship among dielectric type, breakdown voltage, capacitance, and size of the capacitor have been clarified. As a result, it was confirmed that if the capacitance is less than a few μF, film capacitor has an advantage to downsize the capacitor.

本誌: 2024年3月7日-2024年3月8日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-4

本誌掲載ページ: 49-53 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,521 Kバイト