商品情報にスキップ
1 2

PTAT電圧発生回路を用いた集積回路上の温度検知及び評価

PTAT電圧発生回路を用いた集積回路上の温度検知及び評価

通常価格 ¥660 JPY
通常価格 セール価格 ¥660 JPY
セール 売り切れ
税込

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT24010

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2024/03/18

タイトル(英語): Temperature sensing and evaluation on integrated circuits using PTAT voltage generation circuit

著者名: 原田 崇寛(明治大学),島田  義久(トレックス・セミコンダクター),大川  智(トレックス・セミコンダクター),吉野  理貴(法政大学 ),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Takahiro Harada(Meiji University Graduate School),Yoshihisa Shimada(TOREX SEMICONDUCTOR LTD.),Satoru Ookawa(TOREX SEMICONDUCTOR LTD.),Michitaka Yoshino(Hosei University),Kawori Sekine(Meiji University )

キーワード: サーマルレギュレーション回路|PTAT電圧発生回路|PN接合ダイオード|Siチップ|温度分布|ダイオードの温度特性|(Thermal regulation circuit|PTAT voltage generation circuit|PN Junction Diode|Si chip|Temperature distribution|Temperature characteristics of diode

要約(日本語): 微細化に伴いICチップ上にエネルギーの集中による温度の高い部分が生じ、回路性能に悪影響を及ぼすことが問題となっている。そのため、ICチップ上の温度分布を検知して温度管理をすることが求められている。本研究ではPTAT電圧発生回路を温度センサとして使用し、発熱の検知を行った。また、MOSFETのpn接合ダイオードの電圧電流特性から得られた温度検知結果と比較を行いPTAT電圧発生回路の有効性を検討した。

要約(英語): There is a need to detect temperature distribution on IC chips for temperature control. In this study, a PTAT voltage generation circuit was used to detect heat generation. The effectiveness of the PTAT voltage generation circuit was also examined by comparing the results of temperature detection with those obtained using MOSFET pn junction diodes.

本誌: 2024年3月21日-2024年3月22日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 624 Kバイト

販売タイプ
書籍サイズ
ページ数
詳細を表示する