半導体デバイスシミュレーション活用によるデバイス動作の可視化と教育への応用の検討
半導体デバイスシミュレーション活用によるデバイス動作の可視化と教育への応用の検討
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: FIE24007
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 教育フロンティア研究会
発行日: 2024/03/25
タイトル(英語): Visualization of device operation using semiconductor device simulation and its educational application
著者名: 堂本 航一(東京都立大学),和田 圭二(東京都立大学),林 真一郎(千葉工業大学)
著者名(英語): Koichi Domoto(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Shinichiro Hayashi(Chiba Institute of Technology)
キーワード: 半導体|デバイスシミュレーション|ダイオード|MOSFET|教育|有限要素法|Semiconductor|Device Simulation|Diode|MOSFET|Education|finite element analysis
要約(日本語): 回路設計には半導体デバイスの詳細な動作を理解することが重要である。しかしながら、その詳細な動作を理解することは電気回路・物性論・半導体物理も含めた知識が必要であるが、それらの修得に多大な時間を要する。そこで、回路設計用モデルと半導体デバイス理論との関係を効率的に修得させることを目的として、理論とデバイス動作の関係の可視化をシミュレーションにより試みた。
要約(英語): It is important to understand details of the semiconductor device in the design of circuit. However, it is virtually impossible to acquire all academic subjects related to semiconductor devices. To overcome such difficulties, the authors have visualized the relationship between the theory and behavior on semiconductor devices using the simulator.
本誌: 2024年3月28日-2024年3月29日教育フロンティア研究会
本誌掲載ページ: 27-32 p
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,801 Kバイト
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