光プローブ電流センサを用いた高速スイッチングGaNデバイスにおける非侵襲電流計測

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MAG24019,LD24044

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 マグネティックス/【D】産業応用部門 リニアドライブ合同研究会

発行日: 2024/05/13

タイトル(英語): Non-invasive Current Measurement of Fast Switching GaN Devices Using an Optical Probe Current Sensor

著者名: 須江 聡(シチズンファインデバイス/信州大学),宮本 光教(シチズンファインデバイス),久保 利哉(シチズンファインデバイス),曽根原 誠(信州大学),佐藤 敏郎(信州大学),長浜 竜(岩崎通信機)

著者名(英語): Satoshi Sue(CITIZEN FINEDEVICE CO., LTD./Shinshu University),Mitsunori Miyamoto(CITIZEN FINEDEVICE CO., LTD.),Toshiya Kubo(CITIZEN FINEDEVICE CO., LTD.),Makoto Sonehara(Shinshu University),Toshiro Sato(Shinshu University),Ryu Nagahama(IWATSU ELECTRIC CO.,

キーワード: 光プローブ電流センサ|ファラデー効果|電流計測|ＧａＮ　ＨＥＭＴ|ダブルパルス試験|パワー半導体|optical probe current sensor|Faraday effect|current measurement|GaN HEMT|double pulse test|power semiconductor

要約(日本語): これまでに，著者らは低挿入インピーダンスな非接触プローブ型電流センサを提案している。本稿では，提案する電流センサを用いてGaNデバイスを流れる電流を計測し，同軸型シャント抵抗と測定波形の比較を行った。同軸型シャント抵抗での測定結果は，挿入インピーダンスの影響で波形にリンギングが確認されたが，提案する電流センサの測定結果では確認されず，被測定回路に対して非侵襲で計測できていることが分かった。

要約(英語): The authors have previously proposed a non-contact probe-type current sensor with low insertion impedance and measured the current flowing through a GaN device using the proposed current sensor and compared the measured waveforms with a coaxial shunt resistor. The measurement results show that the proposed current sensor is non-invasive to the circuit under test.

本誌: 2024年5月16日-2024年5月17日マグネティックス/リニアドライブ合同研究会

本誌掲載ページ: 67-72 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,269 Kバイト