Preparation and Photosensitivity of Pentacene Phototransistors Utilizing Propagating Surface Plasmon Resonance

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI24044

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2024/05/21

タイトル(英語): Preparation and Photosensitivity of Pentacene Phototransistors Utilizing Propagating Surface Plasmon Resonance

著者名: チェア レイヘン(新潟大学),城内 紗千子(新潟大学),大平 泰生(新潟大学),馬場 暁(新潟大学),加藤 景三(新潟大学),新保 一成(新潟大学),皆川 正寛(長岡高等専門学校)

著者名(英語): Layheng Chea(Niigata University),Sachiko Jonai(Niigata University),Yasuo Ohdaira(Niigata University),Akira Baba(Niigata University),Keizo Kato(Niigata University),Kazunari Shinbo(Niigata University),Masahiro Minagawa(National Institute of Technology, Nagaoka College)

キーワード: 表面プラズモン|グレーティングカップリング|フォトトランジスタ|surface plasmon|grating coupling|phototransistor

要約(日本語): 伝搬型表面プラズモン励起に伴う強電場を用いてペンタセン層の光吸収を増強することによりフォトトランジスタの感度を増強することを試みた。アルミニウムゲート電極上のアルミナ膜とサイトップ層を絶縁層とすることで、表面プラズモンの効果が得られることが分かった。

要約(英語): Lowering the operation voltage and enhancing the photosensitivity of the Organic Phototransistors (OPTs) are crucial factors to improve the performance. In this research, we have successfully fabricated Pentacene OPTs with operational voltage lower than -2 V by using dielectrics double layers of Al2O3 and CYTOP. The photosensitivity(P) of OPTs was also improved by utilizing the propagating SPR excited in the grating structure.

本誌: 2024年5月24日誘電・絶縁材料研究会

本誌掲載ページ: 15-17 p

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 586 Kバイト