ボトムコンタクト型有機トランジスタにおける半導体層の基板加熱成膜と伝達特性の関係

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI24061

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2024/06/22

タイトル(英語): Relationship between Substrate Heating during deposition of Semiconductor Layer and Transfer Characteristics in Bottom-contact type organic transistors

著者名: 小池 柊生(長岡工業高等専門学校),成戸 翔(長岡工業高等専門学校),新保 一成(新潟大学),皆川 正寛(長岡工業高等専門学校)

著者名(英語): Toki Koike(National Institute of Technology, Nagaoka College),Sho Narito(National Institute of Technology, Nagaoka College),Kazunari Shinbo(Niigata University),Masahiro Minagawa(National Institute of Technology, Nagaoka College)

キーワード: 有機電界効果トランジスタ|基板加熱|伝達特性|organic field-effect transistors|substrate heating |transfer characteristic

要約(日本語): ボトムコンタクト型有機トランジスタにおいて，有機半導体層成膜時の基板温度を22, 39, 63 ℃とした際の伝達特性をそれぞれ測定した。その結果，基板温度の上昇に伴いトランジスタの出力電流は増大し，移動度も改善されることが明らかとなった。これは，基板加熱成膜により，有機半導体層のグレインサイズが大きくなったためと考えられた。

要約(英語): Bottom-contact type organic transistors with substrate heating during a deposition of an organic semiconductor layer at the temperature of 22, 39, or 63 °C were fabricated, and transfer characteristics were investigated. It was found that the output current increased with an increase of a substrate temperature as well as the mobility in the transistor. It was attributed to the fact that a size of grains in an organic semiconductor layer increased due to substrate heating.

本誌: 2024年6月25日誘電・絶縁材料研究会

本誌掲載ページ: 57-60 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,812 Kバイト