半導体スーパージャンクション理論　発想の経緯

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: HEE24006

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会

発行日: 2024/06/30

タイトル(英語): Theory of Semiconductor Superjunction Devices - How the Idea Came About

著者名: 藤平 龍彦(富士電機)

著者名(英語): Tatsuhiko Fujihira(Fuji Electric)

キーワード: スーパージャンクション|理論|半導体|オン抵抗|でんきの礎|発想|superjunction|theory|semiconductor|on-resistance|one step on electro technology|idea

要約(日本語): スーパージャンクション（ＳＪ）は１９９８年からシリコン（Ｓｉ）パワーＭＯＳＦＥＴに適用され、近年その固有オン抵抗はＳｉ非ＳＪパワーＭＯＳＦＥＴ理論限界の１／１０にまで低減され、市場規模は２０２２年実績で１５億米ドルを超えた。ＳＪ特許は１９８２年にＣｏｅが初公開し、ＳＪ理論は１９９７年に藤平が発表した。本論文では、藤平によるＳＪ理論発想の経緯を報告する。それは、高耐圧ＩＣの不良品解析から始まった。

要約(英語): Specific on-resistance of silicon superjunction MOSFET reached to 1/10 of the non-superjunction silicon limit. Its market surpassed US$ 1.5 billion. Superjunction patent published by Coe in 1982 and superjunction theory by Fujihira in 1997, for the first time. Present paper describes how the idea of superjunction came about to Fujihira.

本誌: 2024年7月3日電気技術史研究会

本誌掲載ページ: 1-6 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,334 Kバイト