2024年7月5日電子デバイス研究会

カテゴリ: 研究会(冊子単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2024/07/02

タイトル(英語): 5.Jul.2024 Technical Meeting on Electron Devices

キーワード: 研究会テーマ:化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション

要約(日本語): 高fT,fmaxを有するダブルドープGaInSbチャネルHEMT:遠藤 聡(東京理科大学),吉田 陸人(東京理科大学),河野 亮介(東京理科大学),海老原 怜央(東京理科大学),神内 智揮(東京理科大学),渡邊 一世(情報通信研究機構),山下 良美(情報通信研究機構),町田 龍人(情報通信研究機構),原 紳介(情報通信研究機構),笠松 章史(情報通信研究機構),藤代 博記(東京理科大学) ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMT大面積化にむけた取組み:白柳 裕介(三菱電機/熊本大学),友久 伸吾(三菱電機),長永 隆志(三菱電機),笠村 啓司(熊本大学),豊田 洋輝(熊本大学),久保田 章亀(熊本大学),松前 貴司(産業総合技術研究所),倉島 優一(産業総合技術研究所),高木 秀樹(産業総合技術研究所) ミストCVD法によるGaN系半導体向け絶縁ゲート構造の作製と評価:谷田部 然治(熊本大学),ラズアン ハディラ(熊本大学),尾藤 圭悟(熊本大学),福光 将也(熊本大学),越智 亮太(北海道大学),中村 有水(熊本大学),佐藤 威友(北海道大学) 分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証:隈部 岳瑠(名古屋大学),吉川 陽(旭化成),川崎 晟也(名古屋大学),久志本 真希(名古屋大学),本田 善央(名古屋大学),新井 学(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),天野 浩(名古屋大学) 原子層堆積法で形成したAlN界面層によるAlSiO/p-GaN MOSFETのチャネル移動度向上としきい値制御:伊藤 健治(豊田中央研究所),成田 哲生(豊田中央研究所),井口 紘子(豊田中央研究所),岩崎 四郎(豊田中央研究所),菊田 大悟(豊田中央研究所),狩野 絵美(名古屋大学),五十嵐 信行(名古屋大学),兼近 将一(名古屋大学),冨田 一義(名古屋大学),堀田 昌宏(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学)

PDFファイルサイズ: 3,936 Kバイト