超高耐電圧SiCパワーデバイスを用いたHVDC用MMCの概念設計

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: FTE24010,PE24079,HV24075

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 新エネルギ－・環境/【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日: 2024/07/07

タイトル(英語): Conceptual design of MMC for HVDC using ultra-high voltage SiC power devices

著者名: 中山 浩二(産業技術総合研究所),米澤 喜幸(産業技術総合研究所),黒岩 丈晴(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Koji Nakayama(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Yoshiyuki Yonezawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Takeharu Kuroiwa(National Institute of Advanced Industrial Science and Techn

キーワード: 超高耐圧|高電圧直流送電|モジュラーマルチレベル|シリコンカーバイド|パワーデバイス|ultra high voltage|high voltage dc|modular multi level|SiC|MOSFET|IGBT

要約(日本語): シミュレーションや試作した超高耐電圧SiCパワーデバイスの電気特性から、HVDC-MMCの概念設計を行った。さらに、HVDC-MMCの超高耐電圧パワーデバイス部分の効率とHVDC-MMCの利用率の関係を求めた。そして、HVDCの潮流として、負荷曲線、風力発電出力特性、太陽光発電出力特性から求めた負荷持続曲線を想定し、市販のSi-IGBTと超高耐電圧SiCパワーデバイスの総合効率の比較を行った。

要約(英語): A conceptual HVDC-MMC design using ultra-high voltage SiC power devices was calculated, and its efficiency relationship with power use ratio was also calculated. The overall efficiency was compared between commercial Si-IGBT and ultra-high voltage SiC power devices using load, wind, and photovoltaic power curves.

本誌: 2024年7月10日-2024年7月11日新エネルギ－・環境/電力技術/高電圧合同研究会

本誌掲載ページ: 53-58 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,365 Kバイト