SiC半導体素子を用いた誘導性エネルギー蓄積型パルスパワー電源の開発とストリーマ放電によるオゾン生成への適応

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: FTE24024

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 新エネルギ－・環境研究会

発行日: 2024/09/09

タイトル(英語): Development of inductive energy storage pulsed power supply using SiC semiconductor devices for ozone production by streamer discharges

著者名: 藤倉 匠(岩手大学),高橋 克幸(岩手大学),高木 浩一(岩手大学)

著者名(英語): Sho Fujikura(Iwate University),Katsuyuki Takahashi(Iwate University),Koichi Takaki(Iwate University)

キーワード: パルス電源|誘導性エネルギー蓄積方式|インピーダンスマッチング|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|オゾン生成効率|Pulse power supply|Inductive energy storage|Impedance matching|SiC-MOSFET|Ozone production efficiency

要約(日本語): 本研究では，耐圧1.2 kV級SiCパワーMOSFETに着目し，誘導性エネルギー蓄積方式 (IES) 電源の開発を行った。昇圧用トランスの巻き数比を10~20と変化させ，それぞれの電気的特性を評価した。巻き数比の増加とともに，出力パルス電圧の最大値が増加し，パルス幅が長大化した。パルス電圧は最大約15 kVでパルス幅は約120 nsである。また各負荷抵抗に対するエネルギー転送効率を算出し，それぞれのエネルギー最大転送効率は約50%であった。

要約(英語): Inductive energy storage (IES) pulsed power generator driven by the silicon carbide (SiC)-MOSFET with the blocking voltage of 1.2 kV was developed. The influence of turn ratio of the pulsed transformer on the output voltage was evaluated. The output voltage and pulse width increase with increasing the number of turns on the secondary side of the transformer. The maximum energy transfer efficiency for each was about 50%.

本誌: 2024年9月12日-2024年9月13日新エネルギ－・環境研究会

本誌掲載ページ: 65-69 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,482 Kバイト