積層型GalnN系RGBモノリシックμLEDアレイの作製とその課題

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD24025

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2024/10/22

タイトル(英語): Fabrication of stacked GalnN-based RGB monolithic microLED arrays and its challenges

著者名: 清水 優輝(名城大学),長谷川 直希(名城大学),井村 慧悟(名城大学),末広 好伸(名城大学),竹内 哲也(名城大学),上山 智(名城大学),岩谷 素顕(名城大学),飯田 大輔(King Abdullah University of Science and Technology),大川 和宏(King Abdullah University of Science and Technology)

著者名(英語): Yuki Shimizu(Meijo University),Naoki Hasegwa(Meijo University),Keigo Imura(Meijo University),Yoshinobu Suehiro(Meijo University),Tetsuya Takeuchi(Meijo University),Satoshi Kamiyama(Meijo University),Motoaki Iwaya(Meijo University),Daisuke Iida(King Abdullah University of Science and Technology),Kazuhiro Ohkawa(King Abdullah University of Science and Technology)

キーワード: マイクロＬＥＤ|μLED

要約(日本語): 近年AR/VR用ディスプレイ開発は活況を呈している．その実現方式は多岐にわたっているが，同時に微細化や輝度などの課題がある．GaInN系材料は，同一材料でRGBが実現できることや積層型構造によりモノリシック化や微細化も可能であることからその課題の打破が期待される．本報告では積層型GaInN系RGBモノリシック型μLEDアレイを作製し, その結果と課題を報告する.

要約(英語): In recent years, the development of VR and AR Displays has been a worldwide race. Multiple methods exist for realizing such displays. If monolithic GaInN-based full-color μLED arrays can be realized, we believe that displays with high resolution, high brightness, and high color saturation with an extremely high sense of presence can be realized. In this report, we fabricate stacked GaInN-based RGB monolithic μLED arrays and report the results and issues.

本誌: 2024年10月25日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 1-4 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,371 Kバイト