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紫外レーザ誘起ナノドット構造を付与したシリコン太陽電池

紫外レーザ誘起ナノドット構造を付与したシリコン太陽電池

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: OQD24026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会

発行日: 2024/10/22

タイトル(英語): Silicon solar cells with ultraviolet laser induced nanodot structures

著者名: 草場 光博(大阪産業大学)

著者名(英語): Mitsuhiro Kusaba(Osaka Sangyo University)

キーワード: ナノドット構造|シリコン太陽電池|エキシマレーザ|反射率|圧縮応力|バンドギャップ|Nanodot structures|Silicon solar cell|Excimer laser|Reflectance|Compressive stress|Bandgap

要約(日本語): KrFエキシマレーザを融解閾値以下のレーザフルエンスでシリコン太陽電池表面に照射するとナノドット構造が形成された。ナノドット構造のサイズは回折限界よりも小さく、60-120nmであった。ナノドット密度はレーザ波長の2乗に反比例することが分かった。ナノドット構造付与のシリコン太陽電池は、反射率が約5%に低減、表面には圧縮応力が生じ、形成前に比べてバンドギャップエネルギーが高くなることが分かった。

要約(英語): Silicon solar cells with nanodot structures were fabricated by irradiation with KrF excimer laser pulses below the melting threshold fluence. The nanodots had a height and width of approximately 60-120 nm. In this presentation, I will introduce the features of nanodot structured silicon solar cells.

本誌: 2024年10月25日光・量子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 5-8 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 713 Kバイト

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