Nb/Sn-Cu-Ti 拡散反応での Zn および Mg 添加が Nb3Sn 層形成に与える影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: MC24026,ASC24026

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 金属・セラミックス/【B】電力・エネルギー部門 超電導機器合同研究会

発行日: 2024/11/02

タイトル(英語): Effect of Zn and Mg doping on Nb3Sn layer formation in Nb/Cu-Sn-Ti diffusion reaction

著者名: 浅井 航希(上智大学),谷貝 剛(上智大学),諸永 拓(物質・材料研究機構),伴野 信哉(物質・材料研究機構)

著者名(英語): KOKI ASAI(Sophia University),TSUYOSHI YAGAI(Sophia University),TAKU MORONAGA(National Institute for Materials Science),NOBUYA BANNO(National Institute for Materials Science)

キーワード: Ｎｂ３Ｓｎ|Ｔｉ添加|Ｚｎ添加|Ｍｇ添加|Nb3Sn|Ti-doping|Zn-dping|Mg-doping

要約(日本語): Nb/Sn 拡散反応への Ti 添加は，Nb3Sn 線材の上部臨界磁場(Bc2)を向上させることで知ら_x000D_ れる。しかし，Sn 相への Ti 添加は Nb/Sn 界面での NbSnTiCu 化合物形成を促し，これ_x000D_ が Nb3Sn 層形成時の Sn の拡散障壁となりうる。この化合物を不安定化させ，Ti 添加時に_x000D_ おいても Sn 拡散を促進することが求められるが，この側面についての詳細な研究はまだ_x000D_ 少ない。そのため，本研究ではSn 拡散を促すことで知られる Zn 添加を Ti 添加試料に行うこと_x000D_ で，Nb/CuZn/SnTi における拡散反応挙動を調べた。また，Nb3Sn 結晶粒微細化に対して一定の効果が見られる Mg 添加も同時に行い，その効果を調べた。650℃および 685℃熱処_x000D_ 理を行い，それぞれの拡散反応挙動と臨界電流特性(Ic)を比較した。

要約(英語): Ti-doping on Sn site could cause some undesirable stable compounds layers as a diffusion barrier for Sn during the Nb3Sn layer formation. In this experimental, we fabricated some specific diffusion couples of Nb/Cu/Sn with different combinations of Ti and Zn doping to Cu and Sn and investigated their diffusion reaction behaviors in Nb3Sn layer formation.

本誌: 2024年11月5日金属・セラミックス/超電導機器合同研究会

本誌掲載ページ: 1-4 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,072 Kバイト