設計パラメータを調整可能なSiC MOSFET回路モデル

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24042,SPC24180

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Circuit Simulation Model with Tunable Design Parameters for SiC-MOSFET

著者名: 須藤 建瑠(日立製作所),井上 瑛(日立製作所),清水 悠佳(日立製作所),毛利 友紀(日立製作所),島 明生(日立製作所)

著者名(英語): Takeru Suto (Hitachi, Ltd.),Akira Inoue(Hitachi, Ltd.),Haruka Shimizu(Hitachi, Ltd.),Yuki Mori(Hitachi, Ltd.),Akio Shima(Hitachi, Ltd.)

キーワード: デバイスモデル|ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|パワーエレクトロニクス|ＭＢＤ|ばらつき|シミュレーション|Device model|SiCMOSFET|Power electronics|MBD|Variability|Simulation

要約(日本語): MOSFETとJFETの相互作用を取り入れた準物理ベースのSiC MOSFETモデルを提案する。ユーザサイドで設計パラメータのカスタマイズを可能とすることで、このモデルは納入品ばらつきによるアンバランスや、ワーストケースのシナリオを推定することを目的としている。市販のSiC MOSFETに対してモデリングを行い、様々な条件下での測定波形と良い一致を示した。このモデルはJFETの効果を取り入れることができるため、短絡などの過酷環境下の計算も期待される。

要約(英語): We propose a semi-physics-based SiC MOSFET model incorporating MOSFET-JFET interactions, enabling user-side customization of design parameters. This model aims to estimate worst-case scenarios and handle product variability. Demonstrated on commercial SiC MOSFETs, it shows good agreement with measured waveforms and is expected to perform well in harsh conditions like short circuits.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 13-17 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,671 Kバイト