個々のSiC MOSFETのモデル化に基づく特性ばらつきを考慮した回路シミュレーション

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24043,SPC24181

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Variation-Aware Circuit Simulation based on Device-Modeling of Individual SiC MOSFETs

著者名: 松本 和希(京都工芸繊維大学),高山 創(京都工芸繊維大学),古田 潤(岡山県立大学),小林 和淑(京都工芸繊維大学),新谷 道広(京都工芸繊維大学)

著者名(英語): Kazuki MATSUMOTO(Kyoto Institute of Technology),Hajime Takayama(Kyoto Institute of Technology),Jun FURUTA(Okayama Prefectural University),Kazutoshi KOBAYASHI(Kyoto Institute of Technology),Michihiro SHINTANI(Kyoto Institute of Technology)

キーワード: ＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|デバイスモデリング|特性ばらつき|ＳＰＩＣＥシミュレーション|SiC MOSFET|Device Modeling|Characteristic variation|SPICE Simulation

要約(日本語): SiC MOSFETの課題として，その特性にばらつきが存在することが知られているが，メーカから提供されるSPICEモデルではそれを考慮したシミュレーションを行うことはできない．本研究では、スイッチング波形に基づくデバイスモデルの作成手法を適用し、同一型番のSiC MOSFET複数個に対して個別のデバイスモデルを作成する。作成したモデルを用いて並列動作のシミュレーションを行い、特性のばらつきによる回路動作への影響を検証する。

要約(英語): SiC MOSFETs have characteristic variations, which can't be simulated using the standard SPICE models provided by manufacturers. In this research, we create device models for individual SiC MOSFETs of the same type based on their switching waveforms. Then, we use these models to simulate circuits with multiple MOSFETs working in parallel, and check how the variations affect the circuit's performance.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 19-24 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,811 Kバイト