IGBTの短絡破壊耐量に関する考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24047,SPC24185

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Consideration on IGBT short-circuit withstand capability

著者名: 佐藤 伸二(産業技術総合研究所),山口 大輝(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所),田尾 仁志(小松製作所),黒柳 貴夫(小松製作所)

著者名(英語): Shinji Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ),Daiki Yamaguchi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ),Hiroshi Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology ),Hitoshi Tao(Komatsu),Takao Kuroyanagi(Komatsu)

キーワード: パワーデバイス|ＩＧＢＴ|モジュール|接合温度|短絡電流|破壊メカニズム|Power devece|IGBT|Module|Junction temperature|Destruction mechanism|Short-circuit current

要約(日本語): IGBTが破壊する条件には過電圧、過電流、過熱などがあります。本稿では、IGBTの短絡耐量とデバイス内部温度の相関関係を実験的に明らかにしました。さらにIGBTの熱拡散時間を定量化することによって、破損を防止する動作条件を定量化しました。

要約(英語): Conditions that can destroy an IGBT include overvoltage, overcurrent, and overheating. In this paper, we experimentally clarified the correlation between the short circuit withstand capability of an IGBT and the internal temperature of the device. Furthermore, we quantified the operating conditions that prevent damage by quantifying the thermal diffusion time of the IGBT.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 41-46 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,992 Kバイト