デジタルゲートドライバを集積したパワーモジュールの高温動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24051,SPC24189

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): High Temperature Operation of Digital Gate Driver Integrated into a Power Module

著者名: 雑賀 一真(九州大学),財前 昌平(九州大学),中野 智(九州大学),楠 茂(九州大学),渡部 毅代登(九州大学),畑 勝裕(芝浦工業大学),高宮 真(東京大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学)

著者名(英語): Kazuma Saiga(Kyushu University),Shohei Zaizen(Kyushu University),Satoshi Nakano(Kyushu University),Shigeru Kusunoki(Kyushu University),Kiyoto Watabe(Kyushu University),Katsuhiro Hata(Shibaura Institute of Technology),Makoto Takamiya(Tokyo University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University)

キーワード: ＩＧＢＴモジュール|デジタルゲートドライバ|IGBT module|digital gate driver

要約(日本語): ゲート電圧ノイズを最小化するためにデジタルゲートドライバ(DGD)をIGBTの近傍に実装した6ビットDGD内蔵パワーモジュールを作製し、IGBTチップの発熱の影響を確認するために高温動作を評価した。その結果、周囲温度130℃まで安定動作を維持しながら、ゲート電圧スパイクが約97％低減されており、DGD内蔵パワーモジュールの高温時の有用性を確認した。

要約(英語): A power module was fabricated with a 6-bit Digital Gate Driver(DGD), in which the DGD was mounted close to the IGBT to minimize gate voltage noise, and the high-temperature operation was then evaluated to discover the influence of IGBT chip heat generation. The results confirm the usefulness of a DGD-integrated power module at high temperatures.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 63-66 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,650 Kバイト