Split-gate CSTBTTMによる短絡動作中の負性ゲート容量抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24053,SPC24191

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Split-Gate CSTBTTM for Suppression of Negative Gate Capacitance under Short Circuit

著者名: 阪口 浩介(三菱電機),小西 和也(三菱電機),小林 亮祐(三菱電機),西田 和貴(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機)

著者名(英語): KOSUKE SAKAGUCHI(Mitsubishi Electric Co.),KAZUYA KONISHI(Mitsubishi Electric Co.),RYOSUKE KOBAYASHI(Mitsubishi Electric Co.),KAZUKI NISHIDA(Mitsubishi Electric Co.),SHINYA SONEDA(Mitsubishi Electric Co.)

キーワード: ＣＳＴＢＴ|ＩＧＢＴ|スプリットゲート|負性容量|変位電流|短絡耐量|CSTBT|IGBT|Split-gate|Negative gate capacitance|Displacement current|SCSOA

要約(日本語): CSTBTTMは、キャリア蓄積によりオン状態の電圧降下（VCEsat）を低減できる一方で、ゲートに変位電流（Idis）が流れ込み、ゲート-エミッタ電圧（VGE）のオーバーシュートが発生し、ノイズや短絡耐量の悪化につながる。この現象は負性容量と呼ばれ、本研究では、スプリットゲート構造を用いることでCSTBTTMの負性容量を抑制し、VCEsat低減との両立に成功したのでその内容を報告する。

要約(英語): CSTBTTM can reduce on-state voltage drop (VCEsat) by storing carriers. On the other hand, storing carriers causes flow of displacement current (Idis) into the gate, resulting in the overshoot of the gate-emitter voltage (VGE). The phenomenon of IGBTs is expressed as a negative gate capacitance. In this study, we have found a solution to suppress the negative gate capacitance for CSTBTTM, enabling the reduction in VCEsat by using a split-gate structure.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 73-77 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,349 Kバイト