ＩＧＢＴ誕生４０年、その黎明期の系譜と衝撃的な真相―著名な貢献者三氏に注目も、ノンラッチアップデバイス具現化への取組み姿勢に決定的な相違―

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24056,SPC24194

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Celebrating 40 years since the birth of IGBT, the genealogy of its early history with shocking facts - Three prominent contributors in the spotlight, but the crucial difference existed in their approach to realizing non-latch-up device -

著者名: 戸倉 規仁(無所属),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Norihito Tokura(no affiliation),Akio Nakagawa(Nakagawa Consulting Office)

キーワード: ＩＧＢＴ|ノンラッチアップ|黎明期|ＩＧＲ|ＣＯＭＦＥＴ|インバータ|IGBT|Non-latch-up|Early history|IGR|COMFET|Inverter

要約(日本語): IGBT実現において著名な三氏が注目されがちであるが、むしろ三氏を中心とした“ノンラッチアップデバイス具現化への取り組み姿勢の決定的な相違”が明暗を分けたIGBTの系譜を、史実に沿って検証する。

要約(英語): While the three well-known researchers of the IGBT realization tend to get a lot of attention, "Decisive difference in the approach to realizing non-latch-up device among their teams" determined the success or failure of IGBT development. In this paper, the genealogy will be discussed based on historical facts.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1

本誌掲載ページ: 99-106 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,188 Kバイト