RC-IEGTにおける裏面ダブルPリング構造による短絡耐量とターンオフ時の破壊耐量の両立

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24063,SPC24201

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Achievement of both Short-Circuit Capability and Turn-off Capability by Backside Double P-ring Structure in RC-IEGT

著者名: 川上 陽代(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),早瀬 茂昭(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Akiyo Kawakami(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Shigeaki Hayase(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: 逆導通電子注入促進形ゲートトランジスタ|短絡|ダブルＰリング|RC-IEGT|Short circuit|Double P-ring

要約(日本語): RC-IEGTの短絡耐量がIEGTよりも低かった結果に対してT-CADシミュレーションを実施したところ、セル端部におけるホールの注入が不足することで裏面電界が上昇して破壊に至ることが明らかになった。そこで、RC-IEGTの裏面のセル端部にダブルＰリング構造を適用し、短絡時の大電流が流れたときのみ終端Pリングからホールを注入する設計とした。その結果、ターンオフ時の破壊耐量を低下させることなく、短絡耐量を向上させることに成功した。

要約(英語): We simulated and fabricated a backside double P-ring RC-IEGT, enhancing short-circuit capability by injecting holes from the P-ring at saturation current and suppressing the backside electric field at the edge of the cell structure, without any influence on other electrical characteristics, including the turn-off capability.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 39-44 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,186 Kバイト