スーパージャンクションIGBTにおける ダイナミックチャージインバランス効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24064,SPC24202

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Dynamic Charge Imbalance in Superjunction IGBTs

著者名: 玉城 朋宏(三菱電機),井上 敦文(三菱電機),古橋 壮之(三菱電機),日野 史郎(三菱電機),西川 和康(三菱電機),橋本 誠(日清紡マイクロデバイス),河瀬 光久(日清紡マイクロデバイス),須藤 陽平(日清紡マイクロデバイス),小川 勉(日清紡マイクロデバイス)

著者名(英語): Tomohiro Tamaki(Mitsubishi Electric Corporation),Atsufum Inoue(Mitsubishi Electric Corporation),Masayuki Furuhashi(Mitsubishi Electric Corporation),Shiro Hino (Mitsubishi Electric Corporation),Kazuyasu Nishikawa(Mitsubishi Electric Corporation),Makoto Hashimoto(Nisshinbo Micro Devices Inc.),Mitsuhisa Kawase(Nisshinbo Micro Devices Inc.),Yohei Sudo(Nisshinbo Micro Devices Inc.),Tsutomu Ogawa(Nisshinbo Micro Devices Inc.)

キーワード: スーパージャンクション|ＩＧＢＴ|セミスーパージャンクション|電荷不均衡|ｐピラー|Superjunction|IGBT|Semi-SJ|charge imbalance|p-pillar

要約(日本語): シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）の性能限界をブレークスルーするため、Superjunction（SJ)構造を有する1.2 kV耐圧クラスのセミSJ-IGBT構造を提案する。試作による評価結果およびシミュレーション解析により、SJ-IGBTに固有の動的電荷不均衡効果を明らかにした。

要約(英語): To breakthrough the performance limits of silicon Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), we propose a 1.2 kV voltage-resistant class Semi-SJ-IGBT structure with a Superjunction (SJ) structure. Through prototype evaluation and simulation analysis, we have revealed the unique dynamic charge imbalance effect associated with SJ-IGBTs.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 45-50 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,768 Kバイト