従来のSuperJunction IGBTを凌駕する1.2kV薄ウェーハSemi SuperJunction IGBT(SSJ-IGBT)の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24065,SPC24203

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Proposal of 1.2kV thin wafer Semi SuperJunction IGBT (SSJ-IGBT) surpassing Full SuperJunction IGBT

著者名: 田中 雅浩(日本シノプシス),阿部 直樹(日本シノプシス),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Masahiro Tanaka(Nihon Synopsys),Naoki Abe(Nihon Synopsys),Akio Nakagawa(Nakagawa Consulting Office)

要約(日本語): 高電圧アプリケーション向けに新しいセミスーパージャンクションIGBT (SSJ-IGBT) を提案する。 SSJ構造を採用することで、低ターンオフ損失と低サージ電圧を実現できる。SJ構造のピラーを高濃度かつ細く設計することにより、蓄積されたキャリアの迅速な排出が可能になる。さらに、フラットなNベース領域が存在することにより、dI/dtが低くなり、サージ電圧を抑制する。

要約(英語): We propose a new Semi-SuperJunction IGBT (SSJ-IGBT) for high voltage applications. The device realizes low turn-off loss as well as low surge voltage by utilizing SSJ structure. Highly doped narrow pillars enable fast extraction of the stored carriers. The relatively slow dI/dt, realized by flat N-base region, suppresses surge voltage.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 51-55 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,601 Kバイト