低耐圧MOSFETのカスケード接続による高耐圧動作の実現

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24071,SPC24209

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): High Voltage Operation of Cascade-connected Low-voltage MOSFETs

著者名: 谷 和樹(日立製作所),原 賢志(日立製作所),古川 智康(日立製作所),角田 幸佑(ミネベアパワーデバイス),内海 智之(ミネベアパワーデバイス)

著者名(英語): Kazuki Tani(Hitachi, Ltd.),Kenji Hara(Hitachi, Ltd.),Tomoyasu Furukawa(Hitachi, Ltd.),Kosuke Tsunoda(Minebea Power Semiconductor Device Inc.),Tomoyuki Utsumi(Minebea Power Semiconductor Device Inc.)

キーワード: パワーＩＣ|ＬＤＭＯＳＦＥＴ|カスケード接続|Power IC|LDMOSFET|Cascade connection

要約(日本語): パワーICは低耐圧の制御用デバイスや高耐圧の電力変換用デバイスを備えるが、様々な耐圧のデバイスの集積はウェハ仕様の特殊化やプロセス工数の増加をもたらす。従って低耐圧デバイスの組み合わせで高耐圧特性を実現できるとウェハ仕様及びプロセス工数の面で利点がある。本研究では低耐圧のエンハンスメント型MOSFETで構成されたカスケード接続MOSFETを提案し、高耐圧MOSFETとして動作することを実証した。

要約(英語): Power ICs require integration of devices with multiple voltage ratings. We propose and demonstrate a monolithically integrated cascade-connected low-voltage MOSFET, which operates as a high-voltage MOSFET using only low-voltage enhancement MOSFETs. We verified the static characteristics and switching operation of our cascade-connected MOSFET, functioning as a high-voltage MOSFET.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 85-88 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,497 Kバイト