導通損失とスイッチング損失のトレードオフを改善するトレンチフィールドプレートMOSFETの疑似ゲート独立制御スイッチングの実証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24073,SPC24211

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2024/11/11

タイトル(英語): Demonstration of Pseudo Independent Gate Drive Switching of Trench Field Plate MOSFETs for Improvement of the Tradeoff between Conduction and Switching Losses

著者名: 西脇 達也(東芝デバイス＆ストレージ),隈部 由(東芝デバイス＆ストレージ),宮島 直也(東芝デバイス＆ストレージ),河村 圭子(東芝デバイス＆ストレージ),小林 研也(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yu Kumabe(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Naoya Miyajima(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Keiko Kawamura(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Kenya Kobayashi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: トレンチＦＰ　ＭＯＳＦＥＴ|フィールドプレート|マルチゲート制御|疑似独立制御|スイッチング|アバランシェ動作|Trench FP MOSFET|Field Plate|Muiti Gate Driving|Pseudo Independent Driving|Switching|Unclamped Inductive Switching

要約(日本語): トレンチフィールドプレート(FP) MOSFETのFP電極は、ソースに接続した場合には高速スイッチングが、ゲートに接続した場合には低オン抵抗の特性を実現できる。両接続の長所を両立するために、我々は一般的なゲートドライブ回路に３つの外付け素子の追加のみでFP電極の疑似独立制御を行う駆動方法を提案している。本論文では、この駆動方法を用いたモジュールを試作し、スイッチング動作の実証を行った。

要約(英語): Trench Field Plate (FP) MOSFET can achieve high-speed switching when its FP electrodes are connected to a source and low on-resistance when they are connected to a gate. We have proposed a pseudo-independent gate driving of the FP electrode, which can combine the advantages of both connections. In this paper, we fabricated a module using this technique and demonstrated its switching operation.

本誌: 2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 95-100 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,059 Kバイト