溶液プロセス p 型 SnO 薄膜トランジスタに向けた溶液調整の検討およ び薄膜作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM24003

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2024/11/25

タイトル(英語): Investigation of solution preparation and fabrication of thin films for solution-processed p-type SnO thin-film transistors

著者名: 曹 博聞(工学院大学),小林 亮太(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Bowen Cao(kogakuin University),Ryota Kobayashi(kogakuin University),Shinya Aikawa(kogakuin University)

キーワード: 酸化物半導体|溶液プロセス|薄膜トランジスタ|ｐ型ＳｎＯ|スピンコート|アニール|oxide semiconductor|solution|thin film transistor|p-type SnO|spin coating|anneal

要約(日本語): p型TFTのチャネル材料として，SnOが注目されている．しかしながら，これまでに報告されている作製方法は，スパッタリングなどの真空プロセスであるためスループットの低下や高コスト化を招く．非真空プロセスは簡便なため，低コスト化が期待できる．そこで本研究では，スピンコート法を用いたSnO薄膜の作製とアニール条件を探索し，薄膜の物性を評価した．

要約(英語): SnO is a promising material for p-type thin-film transistors (TFTs), however, vacuum processes such as sputtering, which results in low throughput and high costs, are required. Non-vacuum processes are expected to reduce fabrication costs. In this study, we investigated precursor solutions for p-type SnO and fabricated thin films using a spin-coating method for TFT application.

本誌: 2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 7-10 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,894 Kバイト