Ar/H2スパッタ成膜したIn2O3系透明導電膜の屈曲時抵抗変化と成膜時圧力の関係理解

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM24004

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2024/11/25

タイトル(英語): Understanding the relationship between resistance changing during bending and sputtering pressure of In2O3-based transparent conductive oxide films fabricated in Ar/H2 atmosphere

著者名: 木菱 完太(工学院大学),山寺 真理(工学院大学),小林 翔(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Kanta Kibishi(Kogakuin University),Shinri Yamadera(Kogakuin University),Tsubasa Kobayashi(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード: フレキシブル|透明導電膜|酸化インジウム|水素|ドーピング|常温プロセス|Flexible|Transparent Conductive Films|In2O3|Hydrogen|Doping|Room temperature process

要約(日本語): 次世代エネルギー・情報デバイスとして，常温プロセス可能かつフレキシブルな透明導電膜が求められている．これまでの研究では，In2O3系透明導電膜の導電性および柔軟性向上を目的とし，水素分圧を変化させて薄膜形成を行ってきた．水素ドーピングによるキャリア密度の増加からより低抵抗な薄膜が得られたが，屈曲時の相対抵抗値は増加した．本研究では，これらの相関関係の理解を目的とする．

要約(英語): Understanding the relationship between resistance changing during bending and sputtering pressure of In2O3-based transparent conductive oxide films fabricated in Ar/H2 atmosphere

本誌: 2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 11-14 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,718 Kバイト