パルスレーザ堆積によるフレキシブルな50Ba(Zr0.2, Ti0.8)O3-50(Ba0.7, Ca0.3)TiO3 エピタキシャル薄膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM24006

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2024/11/25

タイトル(英語): Fabrication of Flexible 50Ba(Zr0.2, Ti0.8)O3-50(Ba0.7, Ca0.3)TiO3 Epitaxial Thin Films using Pulsed Laser Deposition

著者名: 西川 直希(近畿大学),西川 博昭(近畿大学)

著者名(英語): Naoki Nishikawa(Kindai University),Hiroaki Nishikawa(Kindai University)

キーワード: 圧電薄膜|フレキシブル|転写プロセス|ＢＺＴ－ＢＣＴ|Ｓｒ４Ａｌ２Ｏ７|Piezoelectric Thin Film|Flexible|Transfer Process|BZT-BCT|Sr4Al2O7

要約(日本語): 鉛フリー圧電材料である(1-x)Ba(Zr0.2, Ti0.8)O3-x(Ba0.7, Ca0.3)TiO3 ((1-x)BZT-xBCT)は、化学組成が50BZT-50BCTでPb(Zr, Ti)O3に匹敵する優れた圧電性(d33=560?620??pC/N)を示す。本研究では、Sr4Al2O7犠牲層を用いてフレキシブル50BZT-50BCTエピタキシャル薄膜の作製を試みたので、その結果を報告する。

要約(英語): The lead-free piezoelectric material (1-x)Ba(Zr0.2, Ti0.8)O3-x(Ba0.7, Ca0.3)TiO3 ((1-x)BZT-xBCT) exhibits piezoelectric properties comparable to those of Pb(Zr, Ti)O3, particularly at the 50BZT-50BCT composition. In this paper, we present the fabrication of flexible 50BZT-50BCT epitaxial thin films using a Sr4Al2O7 sacrificial layer, demonstrating potential for flexible piezoelectric applications.

本誌: 2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 19-20 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,160 Kバイト