堅牢なSnO2ターゲットを用いた還元雰囲気スパッタリングと成膜後アニーリングによるSnO製作の最適化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM24014

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2024/11/25

タイトル(英語): Optimization of SnO fabrication using robust SnO2 target by sputtering and post-deposition annealing in reducing atmosphere

著者名: 小林 翔(工学院大学),木菱 完太(工学院大学),辛 佳和(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Tsubasa Kobayashi(Kogakuin university),Kanta Kibishi(Kogakuin university),Yoshikazu Shin(Kogakuin university),Shinya Aikawa(Kogakuin university)

キーワード: 酸化物半導体|還元|スパッタリング|Oxide semiconductor|Reduction|Sputtering

要約(日本語): SnOは，バンド分散が大きく，有効質量が軽いため，高い正孔移動度を持つp型酸化物が期待できる．我々は，低水素濃度での還元スパッタと800 ℃の還元アニールがSnO2をSnOに還元できることを報告してきた．しかし，30分間の高温水素アニールでは，不均化反応とともにSnOx膜表面でのSnの析出と凝集により薄膜の平滑性が失わせた．本研究では，この問題を解決するため，アニール条件の最適化に取り組んだので報告する．

要約(英語): We have confirmed that combined process of reductive sputtering and reductive annealing at 800 °C can be fabricated SnO from SnO2 target. However, annealing for 30 min resulted in rough surface of the film due to disproportionation and of Sn. Therefore, we optimize the annealing conditions to solve this problem.

本誌: 2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 45-48 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,519 Kバイト