高温アニールに代わるアモルファス酸化物TFTへの室温UV照射処理

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM24015

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2024/11/25

タイトル(英語): Room temperature UV exposure treatment to amorphous oxide TFTs instead of high temperature annealing

著者名: 山寺 真理(工学院大学),木菱 完太(工学院大学),小林 亮太(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Shinri Yamadera(Kogakuin University),Kanta Kibishi(Kogakuin University),Ryota Kobayashi(Kogakuin University),Shinya Aikawa(Kogakuin University)

キーワード: アモルファス酸化物|薄膜トランジスタ|ヒステリシス|室温|ＵＶ照射|フレキシブルディスプレイ|Amorphous oxide|Thin film transistor|Hysteresis|Room temperature|UV exposure|Flexible display

要約(日本語): アモルファス酸化物半導体はスパッタによる室温成膜や高電界効果移動度を示し注目されている．従来，室温形成されたTFTにはヒステリシスが残存するため，熱処理により理想的な特性を得ていた．しかし熱耐性のあるガラス基板に限定され，プラスチック基板への製作が困難であった．本研究では酸素雰囲気下による室温UV照射処理を報告する．この新たな室温手法によってフレキシブルディスプレイへの応用が見込める．

要約(英語): Amorphous oxide semiconductors have attracted attention because of their room-temperature deposition by sputtering and high field effect mobility. However, hysteresis remains in most case when the TFT channel deposited at room temperature, thus further heat treatments are required for the device operation. Here, we introduce room-temperature UV treatments being one possibility to solve the issue.

本誌: 2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 49-53 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,575 Kバイト