アモルファスp型TeOxTFTの特性向上に向けたアニール処理の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM24016

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会

発行日: 2024/11/25

タイトル(英語): Investigation of annealing treatment for improvement of electrical properties in amorphous p-type TeOx-based TFT

著者名: 石井 和歩(工学院大学),小林 翔(工学院大学),守屋 賢人(工学院大学),山寺 真理(工学院大学),相川 慎也(工学院大学)

著者名(英語): Kazuho Ishi(Kougakuin univ.),Tsubasa Kobayashi(Kougakuin univ.),Kento Moriya(Kougakuin univ),Shinri Yamadera(Kougakuin univ),Shinya Aikawa(Kougakuin univ)

キーワード: 酸化物半導体|薄膜トランジスタ|酸化テルル|ｐ型半導体|アニール|oxide semiconductor|thin film transistor|tellurium oxide|p-type semiconductor|annealing

要約(日本語): p型TFT材料の有望な候補としてTeOx系が報告されており, アモルファスでありながら高い電界効果移動度と優れたon/off比を両立する. しかしながら, サブスレッショルド領域に課題を抱えている.　アニール処理は欠陥密度を低減できるため, サブスレッショルドの改善に効果があることが知られている. そこで本研究では, 雰囲気および温度を変化させTFT特性に及ぼす影響を調査したので報告する.

要約(英語): TeOx-based TFTs offer high mobility and on/off ratios but face subthreshold issues due to defect density. This study investigates how annealing of varying atmospheres and temperatures, impacts TFT characteristics, aiming to improve subthreshold performance by reducing defects.

本誌: 2024年11月28日-2024年11月29日電子材料研究会

本誌掲載ページ: 55-57 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,390 Kバイト