パッチ状MoO3層を有するペンタセン薄膜電界効果トランジスタの作製および特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: DEI24087

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 誘電・絶縁材料研究会

発行日: 2024/12/01

タイトル(英語): Preparation and Evaluation of Pentacene Thin Film Field-effect Transistor with Patch-like Structured MoO3 Layer

著者名: 新保 一成(新潟大学),小林　 巧海(新潟大学（現JFEスチール）),馬場 暁(新潟大学),加藤 景三(新潟大学),皆川 正寛(長岡高専)

著者名(英語): Kazunari Shinbo(Niigata University),Takumi Kobayashi(Niigata University),Akira Baba(Niigata University),Keizo Kato(Niigata University),Masahiro Minagawa(National Institute of Technology, Nagaoka College )

キーワード: 有機薄膜トランジスタ|ペンタセン|酸化モリブデン|organic field-effect transistor|pentacene|MoO3

要約(日本語): 酸化モリブデン薄膜を積層したペンタセン薄膜トランジスタを作製し、その特性を調べた。酸化モリブデン薄膜の堆積によりオン電流を増加させることができたが、同時にオフ電流も大きくなり素子のオンオフ比は低下した。これに対し、酸化モリブデン層をパッチ状にすることでオフ電流を低減し、オンオフ比の劣化を抑制することができた。

要約(英語): Pentacene field-effect transistor (FET) having a patch-like structutred MoO3 layer was prepared and its property was ivestigated. The patch-like sturucture MoO3 layer suppressed the off current of the device.

本誌: 2024年12月4日-2024年12月5日誘電・絶縁材料研究会

本誌掲載ページ: 17-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,140 Kバイト