正弦波PWMインバータ動作時におけるIGBTモジュールのVCE(sat)と温度プロファイルの測定
正弦波PWMインバータ動作時におけるIGBTモジュールのVCE(sat)と温度プロファイルの測定
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: SPC25003,MD25003
グループ名: 【D】産業応用部門 半導体電力変換/【D】産業応用部門 モータドライブ合同研究会
発行日: 2025/01/20
タイトル(英語): Experimental measurement of VCE(sat) and temperature profile in an IGBT module with a sinusoidal PWM inverter
著者名: 植田 永輝(九州工業大学),郷田 幸児(九州工業大学),長谷川 一徳(九州工業大学),齋藤 渉(九州大学)
著者名(英語): Hisaki Ueda(Kyushu Institute of Technology),Koji Goda(Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa(Kyushu Institute of Technology),Wataru Saito(Kyushu University)
キーワード: IGBT|VCE(sat)|劣化モニタリング|温度プロファイル|PWMインバータ|IGBTs|VCE(sat)|degradation monitoring|temperature profile|PWM inverters
要約(日本語): 本論文では、正弦波PWMインバータ動作時におけるIGBTモジュール劣化時のVCE(sat)と温度プロファイルの測定を行う。IGBTモジュール劣化時はVCE(sat)とモジュール温度の上昇を引き起こすため、温度依存性をもつオン時のVCE(sat)をモニタリングすることで、動作中のIGBTの温度変化を正確に算出する。Leafonyを用いたVCE(sat)測定環境を設計製作し、定格1200 V 75 A IGBTモジュール用いた実験によりその有効性を実証した。
要約(英語): This paper provides experimental measurement of VCE(sat) and temperature profile in an IGBT module with a sinusoidal PWM inverter. Monitoring VCE(sat), which has temperature dependency, allows accurate calculation of the temperature change of the IGBT during operation because VCE(sat) and IGBT module temperature increase due to IGBT module degradation.
本誌: 2025年1月23日-2025年1月24日半導体電力変換/モータドライブ合同研究会-1
本誌掲載ページ: 13-18 p
原稿種別: 日本語
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