アダプティブバイアス回路を適用した逆F級増幅器を用いたドハティ電力増幅器の提案

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT25004

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2025/01/27

タイトル(英語): Proposal of a Doherty power amplifier using an inverse class-F amplifier with an adaptive bias circuit

著者名: 岡 龍志(東京理科大学),宮内 亮一(東京理科大学),兵庫 明(東京理科大学)

著者名(英語): Ryuji Oka(Tokyo University of Science),Ryoichi Miyauchi(Tokyo University of Science),Akiara Hyogo(Tokyo University of Science)

キーワード: ドハティ電力増幅器|ＷＬＡＮ|高効率|線形性|ＰＡＥ|ＰＢＯ|Doherty power amplifier|Wireless Local Area Network|High efficiency|linearity|Power added efficiency|Power back off

要約(日本語): 本論文では，適応型バイアス回路を用いたドハティ型電力増幅器 (ドハティPA)を提案している．従来のドハティPAはPBO(Power-Back-Off)領域における効率低下が問題となっていた．効率低下は高入力電力時の補助増幅器の利得不足に起因しており，提案回路ではこの問題に対して適応型バイアス回路を用いることよって改善を図っている．提案回路についてTSMC180nmCMOSプロセスのデバイスパラメータを用いた回路シミュレーションにより，電力効率の効果を確認した．

要約(英語): This paper proposes a Doherty power amplifier (Doherty PA) using an adaptive bias circuit. Conventional Doherty PAs suffer from a problem of efficiency degradation in the PBO (Power-Back-Off) region. The efficiency degradation is caused by insufficient gain of the auxiliary amplifier at high input power, and the proposed circuit improve this problem by using an adaptive bias circuit. The effect of the proposed circuit on power efficiency was confirmed by circuit simulation using device parameters of the TSMC 180nm CMOS process.

本誌: 2025年1月30日-2025年1月31日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 19-24 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,994 Kバイト