金属コア基板を用いて実現した多並列GaNパワー半導体を有する高電力密度インバータの大電力検証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: PE25075,PSE25107,SPC25122

グループ名: 【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 電力系統技術/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2025/03/03

タイトル(英語): High-power verification of a high-power density inverter with multiple parallel GaN power semiconductors realized using a metal core substrate

著者名: 山中 駿輔(岡山大学),梅谷 和弘(岡山大学),石原 將貴(岡山大学),平木 英治(岡山大学)

著者名(英語): Shunsuke Yamanaka(Okayama university),Kazuhiro Umetani(Okayama university),Masataka Ishihara(Okayama university),Eiji Hiraki(Okayama university)

キーワード: インバータ|ＧａＮデバイス|多並列駆動|寄生インダクタンス|電流アンバランス|メタルコア基板|Inverter|GaN-HEMT|multi parallel device|parasitic inductance|current unbalance|metal core substance

要約(日本語): 低損失・高速スイッチングを実現可能なGaNデバイスの大電力インバータへの応用が期待されているが, 大電力化にはデバイスの多並列化が必要となる. しかし多並列化したデバイス間で電流分布に偏りが生じ電流が集中したデバイスの破損に繋がる. またチップ面積の小さいGaNデバイスを効率的に冷却する必要がある. 本論文では電流アンバランス抑制と高放熱性を両立した構造を提案し, 大電力域に応用できることを検討した.

要約(英語): GaN devices enable low-loss, high-speed switching and hold promise for high-power inverters. However, parallelization causes current imbalances, risking device failure, and their small chip size complicates cooling. This study proposes a structure addressing current imbalance and heat dissipation, demonstrating suitability for high-power applications.

本誌: 2025年3月6日-2025年3月7日電力技術/電力系統技術/半導体電力変換合同研究会-2

本誌掲載ページ: 177-182 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,708 Kバイト