MEMSマイクロフォン用インピーダンス変換回路における バックゲートバイアス回路を用いた低雑音化の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT25016

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2025/03/18

タイトル(英語): A Study of Low Noise Design Using Back Gate Bias Circuit in Impedance Converter for MEMS Microphone

著者名: 伊藤 壽(日清紡マイクロデバイス株式会社),根本 竜平(日清紡マイクロデバイス株式会社)

著者名(英語): Hisashi Itoh(Nisshinbo Micro Devices Inc.),Ryuhei Nemoto(Nisshinbo Micro Devices Inc.)

キーワード: ＭＥＭＳマイクロフォン|インピーダンス変換回路|低雑音設計|バックゲート|MEMS Microphone|Impedance converter|Low noise design|Back gate

要約(日本語): アナログMEMSマイクロフォンは，MEMSトランスデューサーとインピーダンス変換回路で構成される。本稿では，インピーダンス変換回路を構成するPMOSトランジスタ，負荷抵抗およびオペアンプの雑音がどのように出力雑音に換算されるかを明確にし，その低雑音化の一つの方法として，従来，PMOSトランジスタのソースに接続されていたバックゲートを分離し，低雑音の電圧源でバイアスすることを提案する。

要約(英語): This paper clarifies how noise from the PMOS transistor, load resistor, and operational amplifier in the impedance converter contributes to the output noise and proposes that the back gate of PMOS transistor disconnected from the source is biased using a low noise voltage source as a noise reduction technique.

本誌: 2025年3月21日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 13-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,248 Kバイト