2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

カテゴリ: 研究会(冊子単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/4/13

タイトル(英語): 16.Apl.2025-17.Apl.2025 Technical Meeting on Electron Devices

キーワード: 研究会テーマ:化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション

要約(日本語): 酸化ガリウムデバイスのための窒素ドーピング技術:東脇 正高(大阪公立大学),稲嶌 仁(大阪公立大学),上原 知起(大阪公立大学),寺村 祐輔(大阪公立大学),辻本 晃基(大阪公立大学),ワン ジェンウェイ(情報通信研究機構),本田 智子(大阪公立大学) SiCバイポーラデバイスにおけるプロトン注入による順方向通電劣化の抑制効果とそのメカニズム:原田 俊太(名古屋大学),坂根 仁(住重アテックス),Li Tong(名古屋工業大学),加藤 正史(名古屋工業大学) 60 nm InP-HEMTテクノロジを用いた300 GHz帯 160 Gb/s 完全差動集積トランシーバ:濱田 裕史(日本電信電話),イブラヒム アブド(日本電信電話),佐々木 太郎(日本電信電話),堤 卓也(日本電信電話),高橋 宏行(日本電信電話) 6Gに向けた移動通信基地局用化合物半導体増幅器の展望:山中 宏治(三菱電機),新庄 真太郎(三菱電機),山口 裕太郎(三菱電機),坂田 修一(三菱電機),鳥居 拓真(三菱電機) AlN系分極ドーピング電界効果トランジスタの高周波動作:川崎 晟也(日本電信電話),廣木 正伸(日本電信電話),平間 一行(日本電信電話),熊倉 一英(日本電信電話),谷保 芳孝(日本電信電話) サブテラヘルツ応用を見据えたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討:安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),牧迫 隆太郎(名古屋大学),分島 彰男(熊本大学),須田 淳(名古屋大学) 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の解明:前田 拓也(東京大学),若本 裕介(東京大学),佐々木 一晴(東京大学),棟方 晟啓(東京大学),廣木 正伸(NTT物性科学基礎研究所),平間 一行(NTT物性科学基礎研究所),熊倉 一英(NTT物性科学基礎研究所),谷保 芳孝(NTT物性科学基礎研究所) m面チャネルAlSiO/AlN/p-GaN MOSFETにおける移動度向上とノーマリオフ動作:伊藤 健治(豊田中央研究所),成田 哲夫(豊田中央研究所),井口 紘子(豊田中央研究所),岩崎 四郎(豊田中央研究所),菊田 大悟(豊田中央研究所),狩野 絵美(名古屋大学),五十嵐 信行(名古屋大学),兼近 将一(名古屋大学),冨田 一義(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),加地 徹(名古屋大学) 熱拡散で形成された組成傾斜AlGaN層を用いたGaN MOSFETの顕著な移動度向上技術:近藤 剣(富士電機),上野 勝典(富士電機),田中 亮(富士電機),高島 信也(富士電機) 大電力・高速動作を実現可能なp-GaNシールド構造を有するGaN基板上縦型GaNトランジスタ :鳥居 直生(パナソニックホールディングス),柴田 大輔(パナソニックホールディングス),小川 雅弘(パナソニックホールディングス),川口 真生(パナソニックホールディングス),半田 浩之(パナソニックホールディングス),鶴見 直大(パナソニックホールディングス),田村 聡之(パナソニックホールディングス),岡山 芳央(パナソニックホールディングス)

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