ストライプゲート型ISFETセンサの帯電による特性回復手法の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: CHS25029

グループ名: 【E】センサ・マイクロマシン部門 ケミカルセンサ研究会

発行日: 2025/05/26

タイトル(英語): Development of a Characteristic Recovery Method for Striped Gate ISFET Sensors by Charging

著者名: 高橋 光翔(静岡大学),横山 竣也(静岡大学),内藤 嘉晴(静岡大学),大多 哲史(静岡大学),二川 雅登(静岡大学)

著者名(英語): Hiroto Takahashi(Shizuoka University),Shunya Yokoyama(Shizuoka University),Yoshiharu Naito(Shizuoka University),Satoshi Ota(Shizuoka University),Masato Futagawa(Shizuoka University)

キーワード: ＩＳＦＥＴ|ｐＨ計測|ドリフト|静電気放電|帯電|特性回復|ISFET|pH Measurement|Drift|ESD|Charging|Characteristic Recovery

要約(日本語): 我々のグループで開発されたストライプゲート型ISFETではドリフト抑制を実現しているが、センサの帯電によりドリフトが発生することがあった。本研究室ではESD保護回路を実装することで帯電抑制に成功したが、帯電後の対策は未達成であった。そこでまず、高電圧印可による絶縁膜への電荷注入により帯電を再現した。また、発生させた帯電の除去に成功し、ドリフト抑制を確認した。これより、帯電後の特性回復が可能であることが示せた。

要約(英語): Charge injection into the insulating film by applying high voltage was used to reproduce the charging of the sensor. The generated charging was also successfully removed, and drift suppression was confirmed. This result shows that it is possible to recover the characteristics after charging.

本誌: 2025年5月29日-2025年5月30日ケミカルセンサ研究会

本誌掲載ページ: 77-81 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,458 Kバイト