GaNパワー半導体を用いたパルスパワー電源の開発と高出力化

カテゴリ：研究会(論文単位)

論文No：EPP25064

グループ名：【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー研究会

発行日：2025/6/8

タイトル(英語)：Development of Pulsed Power Generator Using GaN Power Semiconductor Switches

著者名：長尾 和樹(小山工業高等専門学校),須貝 太一(長岡技術科学大学),徳地 明(パルスパワー技術研究所),江 偉華(長岡技術科学大学)

著者名(英語)： Kazuki Nagao(National Institue of Technology, Oyama College),Taichi Sugai(Nagaoka University of Technology),Akira Tokuchi(Pulsed Power Japan Laboratory Ltd.),Jiang Weihua(Nagaoka University of Technology)

キーワード：パルスパワー,ＧａＮ半導体スイッチ,高速立ち上がり,高電圧大電流,過電圧発生,Pulsed Power,GaN power semiconductor switches,fast rise time,High curren capability,Over voltage

要約(日本語)：GaNパワー半導体スイッチを用いたパルスパワー電源を多数開発してきた。従来のSiCスイッチと比較しても高速な立上り，大電流と優れた特性を持っているが，定格を超える過電圧が発生してしまうなど問題も多い。本研究では，GaNパワーデバイスを用いたパルスパワー電源の高出力化について取り組んだ。

要約(英語)：We have developed many pulsed power Generators using GaN power semiconductor switches. Compared to conventional SiC switches, they have excellent characteristics such as fast rise time and high current, but they also have many problems, such as overvoltage exceeding the rated voltage. In this study, we have addressed the issue of increasing the output power of pulsed power supplies using GaN power devices.

本誌：2025年6月11日-2025年6月13日放電・プラズマ・パルスパワー研究会-2

本誌掲載ページ：25-29p

原稿種別：日本語

PDFファイルサイズ：2,279Kバイト