紫外Nd:YAGレーザ照射によるSi太陽電池ナノドット構造の微細化
紫外Nd:YAGレーザ照射によるSi太陽電池ナノドット構造の微細化
カテゴリ:研究会(論文単位)
論文No:LAV25006
グループ名:【A】基礎・材料・共通部門 光応用・視覚研究会
発行日:2025/8/26
タイトル(英語):Fine fabrication of nanodot structures on Si solar cell surface irradiated by ultraviolet Nd:YAG laser pulses
著者名:田中 利玖(大阪産業大学),大歳 丈翔(大阪産業大学),橋田 昌樹(東海大学/京都大学),坂上 仁志(核融合科学研究所/東海大学),時田 茂樹(京都大学),草場 光博(大阪産業大学)
著者名(英語): Riku Tanaka(Osaka Sangyo University),Taketo Otoshi(Osaka Sangyo University),Masaki Hashida(Tokai University/Kyoto University),Hitoshi Sakagami(National Institute for Fusion Science/Tokai University),Shigeki Tokita(Kyoto University),Mitsuhiro Kusaba(Osaka Sangyo University)
キーワード:シリコン太陽電池,ナノドット構造,紫外Nd:YAGレーザ,光・レーザ量子加工,silicon solar cells,nanodot structures,ultraviolet Nd:YAG laser,photon・laser quantum processing
要約(日本語):レーザフルエンス0.10 J/cm2照射ではシリコン太陽電池表面に大きさ27 nm程度のナノドット構造が形成された。レーザ波長266 nmの紫外レーザで形成したナノドット構造の平均幅は、レーザ波長248 nmの紫外レーザで照射した結果と比較すると、約1/4倍となり微細化に成功した。ナノドット構造の密度は、372個/m2であった。ナノドット構造は、約20 nm間隔で形成されていた。
要約(英語):The size distribution of the nanodot structures on silicon solar cells irradiated with ultraviolet Nd:YAG laser (λ= 266 nm, t = 7 ns, R = 10 Hz) was evaluated from FE-SEM image below the ablation threshold fluence.
本誌掲載ページ:5-8p
原稿種別:日本語
PDFファイルサイズ:770Kバイト
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